Авторизация
 
  • 20:27 – Привыкла просыпаться одна: Ольга Бузова неожиданно улетела в Вену 
  • 20:27 – В Саратовской области грузовик протаранил маршрутку с пассажирами – машину выбросило с дороги 
  • 20:27 – Лукашевич назвал позорным решение Украины по Самойловой 
  • 20:26 – Организаторы «Евровидения» предложили транслировать выступление Самойловой 

Физики МГУ рассказали об измерении важных параметров сверхпроводников

54.161.227.32

Физики МГУ рассказали об измерении важных параметров сверхпроводников
Фото: Александр Щербак / «Коммерсантъ»Международная группа ученых при участии исследователей из МГУ провела работу, в результате которой удалось выяснить, как именно нужно измерять один из важных параметров сверхпроводников. Результаты исследования были опубликованы в журнале Nanoscale Research Letters.

Суть работы состоит в теоретическом исследовании тонких эффектов, имеющих место в контактах двух сверхпроводников. Сверхпроводники — это материалы, которые при низких температурах имеют нулевое сопротивление и выталкивают из себя магнитное поле. Самый простой способ их исследовать — надломить проволочку из сверхпроводника и померить особенности на вольт-амперной характеристики (они имеют вид чередующихся максимумов и минимумов). По значениям этих максимумов (минимумов) можно судить о важном параметре сверхпроводника — величине его параметра порядка, определяющей, в том числе, температуру сверхпроводящего перехода.

В своей работе ученые показали, что учет влияния тонкого деградированного слоя сверхпроводника, зачастую находящегося на его поверхности, снимает это противоречие (выбор между измерением максимумов и минимумов) — максимумы плавно переходят в минимумы.

Особенностью данной работы является интернациональный коллектив ее участников: она объединила ученых из России, Украины и Германии. «Естественным развитием данной работы является изучение сверхпроводящих контактов из новых необычных сверхпроводников, используя методы, разработанные моей научной группой», — заключает один из авторов статьи Игорь Девятов, ведущий научный сотрудник отдела микроэлектроники НИИ ядерной физики имени Д.В. Скобельцына.


Смотрите также

ЧИТАЙТЕ ТАКЖЕ:

КОММЕНТАРИИ:

Новости партнеров
  • Читаемое
  • Сегодня
  • Комментируют