Авторизация
 
  • 00:49 – 5 пряностей для стройности, о которых вы не подозревали 
  • 00:26 – Товарищеский матч «Спартак» - «Сарпсборг» состоится 26 февраля 
  • 00:26 – Эти три фразы спасут любой разговор 
  • 00:25 – Сирия сегодня 2017, новости 26 февраля: сводки, обзор карты военных действий в Сирии на сегодня, 26.02.2017 

Физики МГУ рассказали об измерении важных параметров сверхпроводников

54.211.129.71

Физики МГУ рассказали об измерении важных параметров сверхпроводников
Фото: Александр Щербак / «Коммерсантъ»Международная группа ученых при участии исследователей из МГУ провела работу, в результате которой удалось выяснить, как именно нужно измерять один из важных параметров сверхпроводников. Результаты исследования были опубликованы в журнале Nanoscale Research Letters.

Суть работы состоит в теоретическом исследовании тонких эффектов, имеющих место в контактах двух сверхпроводников. Сверхпроводники — это материалы, которые при низких температурах имеют нулевое сопротивление и выталкивают из себя магнитное поле. Самый простой способ их исследовать — надломить проволочку из сверхпроводника и померить особенности на вольт-амперной характеристики (они имеют вид чередующихся максимумов и минимумов). По значениям этих максимумов (минимумов) можно судить о важном параметре сверхпроводника — величине его параметра порядка, определяющей, в том числе, температуру сверхпроводящего перехода.

В своей работе ученые показали, что учет влияния тонкого деградированного слоя сверхпроводника, зачастую находящегося на его поверхности, снимает это противоречие (выбор между измерением максимумов и минимумов) — максимумы плавно переходят в минимумы.

Особенностью данной работы является интернациональный коллектив ее участников: она объединила ученых из России, Украины и Германии. «Естественным развитием данной работы является изучение сверхпроводящих контактов из новых необычных сверхпроводников, используя методы, разработанные моей научной группой», — заключает один из авторов статьи Игорь Девятов, ведущий научный сотрудник отдела микроэлектроники НИИ ядерной физики имени Д.В. Скобельцына.


Смотрите также

ЧИТАЙТЕ ТАКЖЕ:

КОММЕНТАРИИ:

Новости партнеров
  • Читаемое
  • Сегодня
  • Комментируют